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[发明专利]光传感器设备及其制备方法-CN202080095152.8在审
发明人：勝野元成;工藤義治 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述光传感器设备包括：基板(1‑13)；形成于所述基板(1‑13)上的锗或锗硅层，所述锗或锗硅层包括n型锗或锗硅层(1‑2)和p型锗或锗硅层(1‑3)；由p型硅或硅锗层(1‑4)组成的导电层，所述导电层形成于所述锗或锗硅层的顶部和侧面所述制备光传感器设备的方法包括：提供基板(1‑13)；在所述基板(1‑13)上形成锗或锗硅层，所述锗或锗硅层包括n型锗或锗硅层(1‑2)和p型锗或锗硅层(1‑3)；形成由p型硅或硅锗层(1‑4)组成的导电层，所述导电层形成于所述锗或锗硅层的顶部和侧面。
传感器设备及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111448618.0在审
发明人：孔真真;王桂磊;张毅文;亨利·H·阿达姆松;杜勇;苗渊浩 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成有锗虚拟衬底层，锗虚拟衬底层上方形成有锗硅逆渐变缓冲层，锗硅逆渐变缓冲层上方形成有第一锗硅限制层，第一锗硅限制层上形成有锗量子阱层，锗量子阱层上形成有第二锗硅限制层，在第二锗硅限制层上形成有硅帽层。通过依次形成锗虚拟衬底层和锗硅逆渐变缓冲层，然后在锗硅逆渐变缓冲层上依次形成第一锗硅限制层、锗量子阱层和第二锗硅限制层，通过调节锗硅逆渐变缓冲层的过度程度，可调控锗量子阱层的应变大小，形成可限制载流子的包含高迁移率二维空穴气的异质结结构，改善核自旋干扰现象，便于与大规模硅基CMOS相兼容，降低制备成本。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]FDSOI的顶层锗硅层的制作方法-CN202010458335.3在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI的顶层锗硅层的制作方法，包括步骤：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶部硅；步骤二、在顶部硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、对顶层锗硅层进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤31、进行热氧化在顶层锗硅层表面形成顶部氧化层并在顶部氧化层和底部的顶层锗硅层的界面处形成锗凝聚；步骤32、进行热退火将界面处凝聚的锗扩散到整个顶层锗硅层；步骤33、去除顶部氧化层。本发明能提升顶层锗硅层的锗浓度，能很好的控制顶层锗硅层的厚度以及能很好的提升顶层锗硅层的工艺质量。
fdsoi 顶层锗硅层制作方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备-CN202010244614.X在审
发明人：李永亮;刘昊炎;程晓红;李俊杰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决在选用对高锗含量的锗硅进行释放时，如采用纯锗作为晶格匹配层，会存在腐蚀锗晶格匹配层的情况，如不采用纯锗晶格匹配层，直接在Si衬底上制备锗硅沟道，会导致缺陷的产生的技术问题。半导体器件，在衬底和锗硅沟道层之间增加了匹配层，匹配层包括锗晶格匹配层和锗硅晶格匹配层，锗硅沟道层形成在锗硅晶格匹配层上，锗硅晶格匹配层与锗硅沟道层的材质元素相同，晶格匹配度高，容易获得高质量的锗硅沟道；同时，在对锗硅沟道层进行释放时，由于对锗硅晶格匹配层选择比高，不会出现锗硅晶格匹配层、锗晶格匹配层或衬底过度腐蚀的问题。
半导体器件及其制作方法集成电路电子设备

[发明专利]一种FDSOI的锗硅层的制作方法-CN202111053103.0在审
发明人：陈勇跃;洪佳琪;颜强;谭俊;周海锋;成鑫华;方精训 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FDSOI的锗硅层的制作方法，方法包括：提供SOI基片；在SOI基片的顶层硅上外延形成锗硅层；形成覆盖锗硅层的硅盖帽层；在硅盖帽层上沉积含有氧自由基的氧化物，以形成氧化物材料层；在锗硅层表面热氧化形成氧化层，锗硅层的厚度同时被减小，利用氧化物材料层中氧自由基的催化氧化作用使硅盖帽层氧化，且在氧化层和锗硅层的界面处形成锗凝聚；进行热退火将氧化层和锗硅层界面处凝聚的锗扩散到整个锗硅层；刻蚀去除氧化物材料层和氧化层本发明不仅实现了锗硅层锗浓度的提升，还降低高浓度锗硅层制备所需的时间和热预算，同时还保证锗硅层的工艺质量，使得锗硅层能很好的适用于半导体器件的制作，使半导体器件的性能得到改善。
一种 fdsoi 锗硅层制作方法

[发明专利]图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用-CN202011276489.7有效
发明人：张建军;张结印 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/30 文献下载
摘要：本发明提供一种图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构，其包括具有图形结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗缓冲层、位于所述硅锗缓冲层上的硅锗/硅超晶格层，以及位于所述硅锗/硅超晶格层上的硅锗薄膜层，其中所述硅锗/硅超晶格层包括交替生长的硅锗层和硅层本发明还提供一种本发明的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构的制备方法。本发明还提供一种本发明的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构在应变硅器件中的应用。本发明提供的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构，其穿透位错密度低且表面粗糙度低。基于所述硅锗薄膜层生长的应变硅器件，可有效减少缺陷对载流子的散射，从而提高载流子迁移率。
图形衬底薄膜复合结构及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201210397928.9在审
发明人：刘佳磊;焦明洁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供的半导体器件的制造方法，将锗硅层的形成工艺分成两次来实现，即先形成第一锗硅层，然后在第一锗硅层中形成第二锗硅层，克服了通过一次沉积工艺形成锗硅层造成的锗硅堆叠不理想问题，使锗硅层更接近PMOS的沟道区域，保证了锗硅层的压应力增强效果，提高了PMOS的性能，进而提高了整个半导体器件的性能。本发明实施例提供的半导体器件，锗硅层包括位于外侧的第一锗硅层和位于第一锗硅层内部的第二锗硅层两部分，克服了现有技术中锗硅堆叠不理想的问题，使锗硅层更接近PMOS的沟道区域，保证了锗硅层的压应力增强效果，
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法-CN202211042108.8在审
发明人：张强 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法，通过在锗硅主体层与硅盖帽层之间增设锗硅盖帽层，并通过调节锗前体流量以及第一锗硅外延反应气体中各反应气体之间流量比例，实现使锗硅盖帽层中的锗浓度自下而上呈递减状态，从而在锗硅主体层与硅盖帽层之间形成浓度渐变降低的锗硅缓冲层，能够明显减少锗硅本征层与硅盖帽层在界面处发生晶格失配的概率，因此可以有效解决弛豫缺陷问题；并且，本发明通过在形成硅盖帽层前的梯度升温阶段，采用不含锗前体的第二锗硅外延反应气体，对锗硅盖帽层的表面进行活化处理，使锗硅晶体表面始终处于吸热和放热的活跃状态，从而可极大程度地降低在晶体表面产生弛豫的风险。
一种具有锗硅源漏区 pmos 器件结构及其制作方法

[发明专利]FD-SOI衬底结构、器件结构的制备方法-CN202010404717.8在审
发明人：徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FD‑SOI衬底结构、器件结构的制备方法，衬底结构的制备方法包括：1)提供FD‑SOI衬底，包括硅基底、埋氧化层及顶硅层；2)于顶硅层上外延生长锗硅层；3)氧化锗硅层，将锗硅层中的锗推进顶硅层，形成顶锗硅层；4)去除氧化反应生成的二氧化硅层；5)于顶锗硅层上外延生长氮氧化锗层。本发明的衬底结构采用顶锗硅层及氮氧化锗层的堆栈结构，顶锗硅层作为器件的沟道，不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。顶锗硅层上覆盖氮氧化锗层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO2或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。
fd soi 衬底结构器件制备方法

[发明专利]锗硅源漏结构及其制造方法-CN202011037590.7在审
发明人：颜强;黄秋铭;谭俊;周海锋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅源漏结构，包括：形成于半导体基体中的凹陷；在凹陷的内侧表面形成有锗硅种子层；锗硅主体层形成于锗硅种子层上并将凹陷完全填充；硅固化层形成在锗硅主体层表面，锗硅主体层和硅固化层采用不间断的外延生长形成，以实现对锗硅主体层的形貌固化，从而防止锗硅主体层顶部表面直接暴露时由高温而产生的形貌变化；在硅固化层的表面形成有盖帽层。本发明还公开了一种锗硅源漏的制造方法。本发明能使锗硅主体层的形貌得到很好的控制，能提高器件的性能。
锗硅源漏结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210417435.0在审
发明人：包家豪;杨智铨;林士豪;林建隆;陈稚轩;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供半导体结构的制造方法，包括提供具第一区域及第二区域的基板、形成自基板的第一区域突出的鳍片，其中鳍片包括第一硅锗层及设置于第一硅锗层上的多个硅层与多个第二硅锗层交替的堆叠，且第一硅锗层具有第一锗浓度而多个第二硅锗层中的每一者具大于第一锗浓度的第二锗浓度、掘入鳍片以形成S/D凹槽、掘入S/D凹槽中暴露的第一硅锗层与多个第二硅锗层，其中多个第二硅锗层被掘入的程度多于第一硅锗层、在S/D凹槽中形成S/D特征、移除被掘入的第一硅锗层及多个第二硅锗层以形成多个开口
半导体结构制造方法

[发明专利]FDSOI上锗硅鳍体的制作方法-CN202010350253.7在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI上锗硅鳍体的制作方法，包括：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶层硅；步骤二、在顶层硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、形成对顶层锗硅层刻蚀后形成的锗硅鳍体；步骤四、对锗硅鳍体进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤41、进行热氧化在所述锗硅鳍体表面形成第一氧化层并在第一氧化层和锗硅鳍体的界面处形成锗凝聚；步骤42、进行热退火将凝聚的锗扩散到整个锗硅鳍体；步骤43、刻蚀去除第一氧化层。本发明能提升锗硅鳍体的锗浓度，还能同时对锗硅鳍体的宽度和高度进行精细调节。
fdsoi 上锗硅鳍体制作方法

[发明专利]一种硅锗源/漏结构及其制造方法-CN201010261580.1无效
发明人：李凤莲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种硅锗源/漏结构，包括：衬底；位于所述衬底之上的栅极结构；形成于衬底中，位于所述栅极结构两侧的台阶型硅锗源/漏区，所述台阶型硅锗源/漏区至少包括第一深度硅锗层和第二深度硅锗层，所述第一深度硅锗层的深度大于所述第二深度硅锗层，所述第二深度硅锗层紧挨所述第一深度硅锗层，所述第二深度硅锗层相较于所述第一深度硅锗层更加靠近所述栅极结构。本发明的硅锗源/漏结构中，通过形成台阶型状的硅锗源/漏结构使得晶体管的沟道可承受更大的应压力且不会降低延伸结特性，因此可进一步提高空穴迁移率，提高晶体管的性能。
一种硅锗源结构及其制造方法

[发明专利]一种碳量子点增强的光电探测器及其制备方法-CN201611109564.4在审
发明人：庄爱芹 -专利权人：庄爱芹
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器及其制备方法，该硅化锗/锡化锗光电探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、锡化锗层、硅化锗层及碳量子点层，所述的光电探测器还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上，第二电极设置在硅化锗层上。其制备方法如下先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积锡化锗层；然后将硅化锗沉积至锡化锗层上；在硅化锗层上制备碳量子点层；最后在硅化锗层及导电镀膜层上分别制作电极，获得光电探测器。本发明的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器利用碳量子点引入的掺杂效应来获得具有高转化效率的硅化锗/锡化锗光电探测器。
一种量子增强光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201510443534.6有效
发明人：邓浩;肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上交替形成多个硅层和锗层；执行固相外延再生长退火工艺以使所述硅层和锗层转变为硅锗层；形成被隔离结构分隔的多个硅锗鳍片本发明提出的半导体器件的制作方法，硅锗层中的锗浓度可根据需要通过控制硅层和锗层的厚度来实现，即，可以容易获得各种锗浓度的硅锗层，非常好控制硅锗鳍中的锗掺杂浓度。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

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